SIA427ADJ-T1-GE3 MOSFET -8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

Deskripsyon kout:

Konpayi fabrikasyon: Vishay
Kategori pwodwi: MOSFET
Fèy Done:SIA427ADJ-T1-GE3
Deskripsyon: MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70
RoHS estati: RoHS Konfòme


Pwodwi detay

Karakteristik

APLIKASYON

Tags pwodwi

♠ Deskripsyon pwodwi

Atribi pwodwi Valè atribi
Manifakti: Vishay
Kategori pwodwi: MOSFET
RoHS: Detay yo
Teknoloji: Si
Style monte: SMD/SMT
Pake/Ka: SC-70-6
Polarite tranzistò: P-chanèl
Kantite chanèl: 1 Chèn
Vds - Drenaj-Sous Pann Voltage: 8 V
Id - Kouran drenaj kontinyèl: 12 A
Rds On - Rezistans drenaj-sous: 95 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: - 5 V, + 5 V
Vgs th - Voltage Limit Gate-Source: 800 mV
Qg - chaj pòtay: 50 nC
Tanperati Minimòm Fonksyònman: - 55 C
Maksimòm Tanperati Fonksyònman: + 150 C
Pd - Dissipasyon pouvwa: 19 W
Mòd chanèl: Amelyorasyon
Non komès: TrenchFET
Anbalaj: Bobine
Anbalaj: Koupe kasèt
Anbalaj: MouseReel
Mak: Vishay Semiconductors
Konfigirasyon: Selibatè
Kalite pwodwi: MOSFET
Seri: SIA
Kantite pake faktori: 3000
Sou-kategori: MOSFET yo
Pwa inite: 82.330 mg

  • Previous:
  • Pwochen:

  • • MOSFET pouvwa TrenchFET®

    • Pake tèmik PowerPAK® SC-70

    – Ti zòn anprint

    - Ba sou-rezistans

    • 100% Rg teste

    • Chaj switch, pou liy elektrik 1.2 V pou aparèy pòtab ak pòtatif

    Pwodwi ki gen rapò