IDW30G120C5BFKSA1 Schottky dyod ak redresman SIC CHIP/DISCRETE
♠ Deskripsyon pwodwi
| Atribi pwodwi | Valè atribi |
| Manifakti: | Infineon |
| Kategori pwodwi: | Schottky Dyòd & Redresman |
| RoHS: | Detay yo |
| Pwodwi: | Schottky Silisyòm Carbide Dyòd |
| Style monte: | Atravè twou |
| Pake / Ka: | TO-247-3 |
| Konfigirasyon: | Doub anod komen katod |
| Teknoloji: | SiC |
| Si - Transmèt aktyèl: | 30 A |
| Vrrm - Voltage ranvèse repetitif: | 1.2 kV |
| Vf - Voltage Avant: | 1.4 V |
| Ifsm - Kouran vag pou pi devan: | 240 A |
| Ir - Kouran inverse: | 17 uA |
| Tanperati Minimòm Fonksyònman: | - 55 C |
| Maksimòm Tanperati Fonksyònman: | + 175 C |
| Seri: | IDW30G120C5 |
| Anbalaj: | Tib |
| Mak: | Infineon teknoloji |
| Pd - Dissipasyon pouvwa: | 332 W |
| Kalite pwodwi: | Schottky Dyòd & Redresman |
| Kantite pake faktori: | 240 |
| Sou-kategori: | Dyòd ak redresman |
| Non komès: | CoolSiC |
| Vr - Voltage ranvèse: | 1.2 kV |
| Pati # Alias: | IDW30G120C5B SP001123716 |
| Pwa inite: | 1.340411 oz |
·Materyèl semi-conducteurs revolisyonè - Silisyòm Carbide
·Pa gen aktyèl rekiperasyon ranvèse / Pa gen rekiperasyon pou pi devan
·Konpòtman chanjman endepandan tanperati
·Ba vòltaj pi devan menm nan tanperati opere segondè
·Sere distribisyon vòltaj pi devan
·Ekselan pèfòmans tèmik
·Pwolonje kapasite aktyèl vag
·Espesifye dv/dt solidite
·Kalifye dapre JEDEC1) pou aplikasyon sib
·Pb-gratis plon plating;RoHS konfòme
·Envèstisè solè
·Pwovizyon pou pouvwa san enteripsyon
·Kondwi motè
·Koreksyon Faktè Pouvwa
