IKW75N65EH5XKSA1 IGBT tranzistò endistri 14

Deskripsyon kout:

Konpayi fabrikasyon: Infineon Technologies
Kategori pwodwi: Transistors - IGBTs - Single
Fèy Done:IKW75N65EH5XKSA1
Deskripsyon: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
RoHS estati: RoHS Konfòme


Pwodwi detay

Karakteristik

Aplikasyon

Tags pwodwi

♠ Deskripsyon pwodwi

Atribi pwodwi Valè atribi
Manifakti: Infineon
Kategori pwodwi: IGBT tranzistò
Teknoloji: Si
Pake / Ka: TO-247-3
Style monte: Atravè twou
Konfigirasyon: Selibatè
Pèseptè-Emetè Voltage VCEO Max: 650 V
Voltaj saturation pèseptè-emetè: 1.65 V
Maksimòm Gate Emeter Voltage: 20 V
Kouran pèseptè kontinyèl nan 25 C: 90 A
Pd - Dissipasyon pouvwa: 395 W
Tanperati Minimòm Fonksyònman: - 40 C
Maksimòm Tanperati Fonksyònman: + 175 C
Seri: Trenchstop IGBT5
Anbalaj: Tib
Mak: Infineon teknoloji
Kouran flit pòtay-emetè: 100 nA
Wotè: 20.7 mm
Longè: 15.87 mm
Kalite pwodwi: IGBT tranzistò
Kantite pake faktori: 240
Sou-kategori: IGBT yo
Non komès: TRENCHSTOP
Lajè: 5.31 mm
Pati # Alias: IKW75N65EH5 SP001257948
Pwa inite: 0.211644 oz

 


  • Previous:
  • Pwochen:

  • HighspeedH5technologyoffering
    •Pi bon efikasite nan klas la nan topoloji diswitchingandresonant
    •Plugandplayreplacementofpreviousgeneration IGBTs
    •650Vbreakdownvoltage
    •LowgatechargeQG
    •IGBTcopackedwithfull-ratedRAPID1fastandsoftantiparalèl Dyòd
    •Maximumjunctiontemperature175°C
    •Kalifye daprè aplikasyon JEDEC pou sib
    •Pb-freeleadplating;RoHScompliant
    •CompleteproductspectrumandPSpiceModels: http://www.infineon.com/igbt/

    •Uninterruptiblepowersupplies
    •Solarkonvètè
    •Weldingconverters
    •Midtohighrangeswitchingfrequencyconverters

    Pwodwi ki gen rapò