AUIRFN8459TR MOSFET 40V Doub N Chèn HEXFET
♠ Deskripsyon pwodwi
| Atribi pwodwi | Valè atribi |
| Manifakti: | Infineon |
| Kategori pwodwi: | MOSFET |
| RoHS: | Detay yo |
| Teknoloji: | Si |
| Style monte: | SMD/SMT |
| Pake / Ka: | PQFN-8 |
| Polarite tranzistò: | N-chanèl |
| Kantite chanèl: | 2 Chèn |
| Vds - Drenaj-Sous Pann Voltage: | 40 V |
| Id - Kouran drenaj kontinyèl: | 70 A |
| Rds On - Rezistans drenaj-sous: | 5.9 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Voltage Limit Gate-Source: | 3 V |
| Qg - chaj pòtay: | 40 nC |
| Tanperati Minimòm Fonksyònman: | - 55 C |
| Maksimòm Tanperati Fonksyònman: | + 175 C |
| Pd - Dissipasyon pouvwa: | 50 W |
| Mòd chanèl: | Amelyorasyon |
| Kalifikasyon: | AEC-Q101 |
| Anbalaj: | Bobine |
| Anbalaj: | Koupe kasèt |
| Anbalaj: | MouseReel |
| Mak: | Infineon teknoloji |
| Konfigirasyon: | Doub |
| Tan Otòn: | 42 ns |
| Transkonduktans Avant - Min: | 66 S |
| Wotè: | 1.2 mm |
| Longè: | 6 mm |
| Kalite pwodwi: | MOSFET |
| Tan monte: | 55 ns |
| Kantite pake faktori: | 4000 |
| Sou-kategori: | MOSFET yo |
| Kalite tranzistò: | 2 N-chanèl |
| Tan delè tipik pou fèmen: | 25 ns |
| Tan delè tipik pou limen: | 10 ns |
| Lajè: | 5 mm |
| Pati # Alias: | AUIRFN8459TR SP001517406 |
| Pwa inite: | 0.004308 oz |
♠ MOSFET 40V Doub N Channel HEXFET
Espesyalman ki fèt pou aplikasyon pou otomobil, HEXFET® Power MOSFET sa a itilize dènye teknik pwosesis pou reyalize rezistans trè ba pou chak zòn Silisyòm.Karakteristik adisyonèl nan konsepsyon sa a se yon tanperati opere junction 175 ° C, vitès rapid swithcing ak amelyore evalyasyon repetitif lavalas.Karakteristik sa yo konbine fè pwodui sa a yon aparèy trè efikas ak serye pou itilize nan otomobil ak gran varyete aplikasyon pou lòt.
Teknoloji Pwosesis Avanse
Doub N-Chanèl MOSFET
Ultra Low On-Resistance
175 °C Tanperati Fonksyònman
Chanje rapid
Lavalas repetitif pèmèt jiska Tjmax
San Plon, Konfòme RoHS
Oto ki kalifye *
Sistèm otomobil 12V
Motè DC bwose
Frenaj
Transmisyon
