SUD50P10-43L-E3 MOSFET 100V 37A 136W 43mohm 10V

Deskripsyon kout:

Konpayi fabrikasyon: Vishay / Siliconix

Kategori pwodwi: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Fèy Done:SUD50P10-43L-E3

Deskripsyon: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252

RoHS estati: RoHS Konfòme


Pwodwi detay

Karakteristik

Tags pwodwi

♠ Deskripsyon pwodwi

Atribi pwodwi Valè atribi
Manifakti: Vishay
Kategori pwodwi: MOSFET
RoHS: Detay yo
Teknoloji: Si
Style monte: SMD/SMT
Pake / Ka: TO-252-3
Polarite tranzistò: P-chanèl
Kantite chanèl: 1 Chèn
Vds - Drenaj-Sous Pann Voltage: 100 V
Id - Kouran drenaj kontinyèl: 37.1 A
Rds On - Rezistans drenaj-sous: 43 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Voltage Limit Gate-Source: 1 V
Qg - chaj pòtay: 106 nC
Tanperati Minimòm Fonksyònman: - 55 C
Maksimòm Tanperati Fonksyònman: + 175 C
Pd - Dissipasyon pouvwa: 136 W
Mòd chanèl: Amelyorasyon
Non komès: TrenchFET
Anbalaj: Bobine
Anbalaj: Koupe kasèt
Anbalaj: MouseReel
Mak: Vishay Semiconductors
Konfigirasyon: Selibatè
Tan Otòn: 100 ns
Transkonduktans Avant - Min: 38 S
Wotè: 2.38 mm
Longè: 6.73 mm
Kalite pwodwi: MOSFET
Tan monte: 20 ns, 160 ns
Seri: SUD
Kantite pake faktori: 2000
Sou-kategori: MOSFET yo
Kalite tranzistò: 1 P-chanèl
Tan delè tipik pou fèmen: 100 ns, 110 ns
Tan delè tipik pou limen: 15 ns, 42 ns
Lajè: 6.22 mm
Pati # Alias: SUD50P10-43L-BE3
Pwa inite: 0.011640 oz

 


  • Previous:
  • Pwochen:

  • • TrenchFET® Power MOSFET

    • Konfòme ak RoHS Directive 2002/95/EC

    Pwodwi ki gen rapò