SQJ951EP-T1_GE3 MOSFET Doub P-Chanèl 30V Kalifye AEC-Q101
♠ Deskripsyon pwodwi a
| Atribi pwodwi | Valè Atribi |
| Manifakti: | Vishay |
| Kategori pwodwi: | MOSFET |
| Teknoloji: | Si |
| Stil montaj: | SMD/SMT |
| Pakè / Ka: | PowerPAK-SO-8-4 |
| Polarite tranzistò: | P-Chanèl |
| Kantite Chanèl: | 2 Chanèl |
| Vds - Vòltaj Pann Drenaj-Sous: | 30 V |
| Id - Kouran drenaj kontinyèl: | 30 A |
| Rds Sou - Rezistans Sous-Drenaj: | 14 mOhms |
| Vgs - Vòltaj Baryè-Sous: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Vòltaj Seuil Pòtay-Sous: | 2.5 V |
| Qg - Chaj Pòtay: | 50 nC |
| Tanperati Minimòm pou Fonksyònman: | - 55 C |
| Tanperati maksimòm pou opere: | + 175 C |
| Pd - Disipasyon pouvwa: | 56 W |
| Mòd Chanèl: | Amelyorasyon |
| Kalifikasyon: | AEC-Q101 |
| Non komèsyal: | TrenchFET |
| Anbalaj: | Bobin |
| Anbalaj: | Koupe tep |
| Anbalaj: | Bobin Sourit |
| Mak: | Vishay Semiconductors |
| Konfigirasyon: | Doub |
| Tan Otòn: | 28 ns |
| Kalite pwodwi: | MOSFET |
| Tan Monte: | 12 ns |
| Seri: | SQ |
| Kantite pake faktori: | 3000 |
| Sou-kategori: | MOSFET yo |
| Kalite tranzistò: | 2 P-Chanèl |
| Tan Reta pou Dezaktive Tipik: | 39 ns |
| Tan Reta pou Limen Tipik: | 12 ns |
| Nimewo Pati Alyas: | SQJ951EP-T1_BE3 |
| Pwa inite: | 0.017870 ons |
• San alojèn Dapre definisyon IEC 61249-2-21
• MOSFET pouvwa TrenchFET®
• Kalifikasyon AEC-Q101
• 100% teste pou Rg ak UIS
• Konfòm ak Direktiv RoHS 2002/95/EC
