SQJ951EP-T1_GE3 MOSFET Doub P-Chanèl 30V AEC-Q101 Kalifye
♠ Deskripsyon pwodwi
| Atribi pwodwi | Valè atribi |
| Manifakti: | Vishay |
| Kategori pwodwi: | MOSFET |
| Teknoloji: | Si |
| Style monte: | SMD/SMT |
| Pake / Ka: | PowerPAK-SO-8-4 |
| Polarite tranzistò: | P-chanèl |
| Kantite chanèl: | 2 Chèn |
| Vds - Drenaj-Sous Pann Voltage: | 30 V |
| Id - Kouran drenaj kontinyèl: | 30 A |
| Rds On - Rezistans drenaj-sous: | 14 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Voltage Limit Gate-Source: | 2.5 V |
| Qg - chaj pòtay: | 50 nC |
| Tanperati Minimòm Fonksyònman: | - 55 C |
| Maksimòm Tanperati Fonksyònman: | + 175 C |
| Pd - Dissipasyon pouvwa: | 56 W |
| Mòd chanèl: | Amelyorasyon |
| Kalifikasyon: | AEC-Q101 |
| Non komès: | TrenchFET |
| Anbalaj: | Bobine |
| Anbalaj: | Koupe kasèt |
| Anbalaj: | MouseReel |
| Mak: | Vishay Semiconductors |
| Konfigirasyon: | Doub |
| Tan Otòn: | 28 ns |
| Kalite pwodwi: | MOSFET |
| Tan monte: | 12 ns |
| Seri: | SQ |
| Kantite pake faktori: | 3000 |
| Sou-kategori: | MOSFET yo |
| Kalite tranzistò: | 2 P-chanèl |
| Tan delè tipik pou fèmen: | 39 ns |
| Tan delè tipik pou limen: | 12 ns |
| Pati # Alias: | SQJ951EP-T1_BE3 |
| Pwa inite: | 0.017870 oz |
• San alojene Dapre IEC 61249-2-21 Definisyon
• TrenchFET® Power MOSFET
• AEC-Q101 kalifye
• 100% Rg ak UIS teste
• Konfòme ak RoHS Directive 2002/95/EC
