NDS331N MOSFET N-Ch LL FET Amelyorasyon Mode
♠ Deskripsyon pwodwi
| Atribi pwodwi | Valè atribi |
| Manifakti: | onsemi |
| Kategori pwodwi: | MOSFET |
| Teknoloji: | Si |
| Style monte: | SMD/SMT |
| Pake / Ka: | SOT-23-3 |
| Polarite tranzistò: | N-chanèl |
| Kantite chanèl: | 1 Chèn |
| Vds - Drenaj-Sous Pann Voltage: | 20 V |
| Id - Kouran drenaj kontinyèl: | 1.3 A |
| Rds On - Rezistans drenaj-sous: | 210 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Voltage Limit Gate-Source: | 500 mV |
| Qg - chaj pòtay: | 5 nC |
| Tanperati Minimòm Fonksyònman: | - 55 C |
| Maksimòm Tanperati Fonksyònman: | + 150 C |
| Pd - Dissipasyon pouvwa: | 500 MW |
| Mòd chanèl: | Amelyorasyon |
| Anbalaj: | Bobine |
| Anbalaj: | Koupe kasèt |
| Anbalaj: | MouseReel |
| Mak: | onsemi / Fairchild |
| Konfigirasyon: | Selibatè |
| Tan Otòn: | 25 ns |
| Wotè: | 1.12 mm |
| Longè: | 2.9 mm |
| Pwodwi: | MOSFET ti siyal |
| Kalite pwodwi: | MOSFET |
| Tan monte: | 25 ns |
| Seri: | NDS331N |
| Kantite pake faktori: | 3000 |
| Sou-kategori: | MOSFET yo |
| Kalite tranzistò: | 1 N-chanèl |
| Kalite: | MOSFET |
| Tan delè tipik pou fèmen: | 10 ns |
| Tan delè tipik pou limen: | 5 ns |
| Lajè: | 1.4 mm |
| Pati # Alias: | NDS331N_NL |
| Pwa inite: | 0.001129 oz |
♠ N-chanèl lojik nivo amelyorasyon mòd jaden efè tranzistò
Sa yo N-Channel lojik nivo amelyorasyon mòd pouvwa jaden efè tranzistò yo pwodwi lè l sèvi avèk propriétaires ON Semiconductor, segondè dansite selil, teknoloji DMOS.Pwosesis trè wo dansite sa a espesyalman pwepare pou minimize rezistans sou eta a.Aparèy sa yo patikilyèman adapte pou aplikasyon pou ba vòltaj nan òdinatè kaye, telefòn pòtab, kat PCMCIA, ak lòt sikui ki mache ak batri kote yo bezwen chanjman rapid, ak pèt pouvwa ki ba nan liy lan nan yon pakè mòn sifas ki piti anpil.
• 1.3 A, 20 V
♦ RDS(on) = 0.21 @ VGS = 2.7 V
♦ RDS(on) = 0.16 @ VGS = 4.5 V
• Endistri Creole Deskripsyon SOT−23 Sifas Mount Package Itilize
Pwopriyetè SUPERSOT−3 Konsepsyon pou kapasite siperyè tèmik ak elektrik
• Gwo dansite selil konsepsyon pou RDS ekstrèmman ba (sou)
• Eksepsyonèl On-Resistance ak maksimòm DC aktyèl kapasite
• Sa a se yon Aparèy Pb-Free
