SIC621CD-T1-GE3 Gate Drivers 60A VRPwr 2 MHz PS4 mòd 5V PWM
♠ Deskripsyon pwodwi
| Atribi pwodwi | Valè atribi |
| Manifakti: | Vishay |
| Kategori pwodwi: | Chofè Gate |
| RoHS: | Detay yo |
| Pwodwi: | MOSFET Gate Drivers |
| Kalite: | High-Side, Low-Side |
| Style monte: | SMD/SMT |
| Pake / Ka: | MLP55-31 |
| Kantite Chofè: | 1 Chofè |
| Kantite Sòti: | 1 Sòti |
| Sòti aktyèl: | 60 A |
| Voltage ekipman pou - Min: | 4.5 V |
| Voltage ekipman pou - Max: | 18 V |
| Konfigirasyon: | Ki pa envèsti |
| Tan monte: | 35 ns |
| Tan Otòn: | 10 ns |
| Tanperati Minimòm Fonksyònman: | - 55 C |
| Maksimòm Tanperati Fonksyònman: | + 150 C |
| Seri: | SIC621 |
| Anbalaj: | Bobine |
| Anbalaj: | Koupe kasèt |
| Anbalaj: | MouseReel |
| Mak: | Vishay Semiconductors |
| Pd - Dissipasyon pouvwa: | 1.6 W |
| Kalite pwodwi: | Chofè Gate |
| Rds On - Rezistans drenaj-sous: | 110 mOhms |
| Kantite pake faktori: | 3000 |
| Sou-kategori: | PMIC la vle di Jesyon pouvwa IC |
| Teknoloji: | Si |
| Non komès: | DrMOS VRPower |
| Pwa inite: | 0.000423 oz |
♠ 60 A VRPower® Etap Pouvwa Entegre
SiC621 a se solisyon etap pouvwa entegre optimize pou aplikasyon pou Buck synchrone yo ofri segondè aktyèl, efikasite segondè, ak pèfòmans segondè dansite pouvwa.Pake nan pake Vishay 5 mm x 5 mm MLP, SiC621 pèmèt desen regilatè vòltaj yo delivre jiska 60 A kontinyèl aktyèl pou chak faz.
MOSFET pouvwa entèn yo itilize teknoloji TrenchFET Gen IV modèn Vishay ki bay pèfòmans referans endistri yo pou redwi siyifikativman pèt switch ak kondiksyon.
SiC621 a enkòpore yon IC chofè MOSFET avanse ki gen gwo kapasite kondwi aktyèl, kontwòl adaptasyon tan mouri, yon dyod Schottky bootstrap entegre, ak detekte aktyèl zewo pou amelyore efikasite chaj limyè.Chofè a tou konpatib ak yon pakèt contrôleur PWM, sipòte PWM tri-eta, ak 5 V PWM lojik.
Gen yon fonksyon itilizatè seleksyone mòd imitasyon dyod (ZCD_EN#) enkli amelyore pèfòmans nan chaj limyè. Aparèy la sipòte tou mòd nan PS4 diminye konsomasyon pouvwa lè sistèm opere nan eta sibstiti.
• Pake tèmik PowerPAK® MLP55-31L
• Teknoloji MOSFET Gen IV Vishay a ak yon MOSFET ki ba-bò ak dyod Schottky entegre
• Li bay jiska 60 A kouran kontinyèl
• Pèfòmans efikasite segondè
• Operasyon segondè frekans jiska 2 MHz
• MOSFET pouvwa optimize pou etap antre 12 V
• 5 V PWM lojik ak tri-eta ak kenbe-off
• Sipòte egzijans chaj limyè mòd PS4 pou IMVP8 ak ba aktyèl ekipman pou fèmen (5 V, 5 μA)
• Lockout anba vòltaj pou VCIN
• VRD milti-faz pou informatique, kat grafik ak memwa
• Livrezon Intel IMVP-8 VRPower – VCORE, VGRAPHICS, VSYSTEM AGENT Skylake, platfòm Kabylake – VCCGI pou platfòm Apollo Lake
• Jiska 18 V tren antre DC/DC VR modil
