SI7119DN-T1-GE3 MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
♠ Deskripsyon pwodwi
| Atribi pwodwi | Valè atribi |
| Manifakti: | Vishay |
| Kategori pwodwi: | MOSFET |
| RoHS: | Detay yo |
| Teknoloji: | Si |
| Style monte: | SMD/SMT |
| Pake/Ka: | PowerPAK-1212-8 |
| Polarite tranzistò: | P-chanèl |
| Kantite chanèl: | 1 Chèn |
| Vds - Drenaj-Sous Pann Voltage: | 200 V |
| Id - Kouran drenaj kontinyèl: | 3.8 A |
| Rds On - Rezistans drenaj-sous: | 1.05 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Voltage Limit Gate-Source: | 2 V |
| Qg - chaj pòtay: | 25 nC |
| Tanperati Minimòm Fonksyònman: | - 50 C |
| Maksimòm Tanperati Fonksyònman: | + 150 C |
| Pd - Dissipasyon pouvwa: | 52 W |
| Mòd chanèl: | Amelyorasyon |
| Non komès: | TrenchFET |
| Anbalaj: | Bobine |
| Anbalaj: | Koupe kasèt |
| Anbalaj: | MouseReel |
| Mak: | Vishay Semiconductors |
| Konfigirasyon: | Selibatè |
| Tan Otòn: | 12 ns |
| Transkonduktans Avant - Min: | 4 S |
| Wotè: | 1.04 mm |
| Longè: | 3.3 mm |
| Kalite pwodwi: | MOSFET |
| Tan monte: | 11 ns |
| Seri: | SI7 |
| Kantite pake faktori: | 3000 |
| Sou-kategori: | MOSFET yo |
| Kalite tranzistò: | 1 P-chanèl |
| Tan delè tipik pou fèmen: | 27 ns |
| Tan delè tipik pou limen: | 9 ns |
| Lajè: | 3.3 mm |
| Pati # Alias: | SI7119DN-GE3 |
| Pwa inite: | 1 g |
• San alojene Dapre IEC 61249-2-21 Disponib
• TrenchFET® Power MOSFET
• Ba Rezistans tèmik PowerPAK® pake ak ti gwosè ak ba 1.07 mm pwofil
• 100% UIS ak Rg teste
• Aktif Clamp nan Entèmedyè DC/DC Power Supplies
