SI7119DN-T1-GE3 MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
♠ Deskripsyon pwodwi a
| Atribi pwodwi | Valè Atribi |
| Manifakti: | Vishay |
| Kategori pwodwi: | MOSFET |
| RoHS: | Detay |
| Teknoloji: | Si |
| Stil montaj: | SMD/SMT |
| Pakè/Ka: | PowerPAK-1212-8 |
| Polarite tranzistò: | P-Chanèl |
| Kantite Chanèl: | 1 Chanèl |
| Vds - Vòltaj Pann Drenaj-Sous: | 200 V |
| Id - Kouran drenaj kontinyèl: | 3.8 A |
| Rds Sou - Rezistans Sous-Drenaj: | 1.05 Ohm |
| Vgs - Vòltaj Baryè-Sous: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Vòltaj Seuil Pòtay-Sous: | 2 V |
| Qg - Chaj Pòtay: | 25 nC |
| Tanperati Minimòm pou Fonksyònman: | - 50 degre Sèlsiyis |
| Tanperati maksimòm pou opere: | + 150 C |
| Pd - Disipasyon pouvwa: | 52 W |
| Mòd Chanèl: | Amelyorasyon |
| Non komèsyal: | TrenchFET |
| Anbalaj: | Bobin |
| Anbalaj: | Koupe tep |
| Anbalaj: | Bobin Sourit |
| Mak: | Vishay Semiconductors |
| Konfigirasyon: | Selibatè |
| Tan Otòn: | 12 ns |
| Transkonduktans Pi Devan - Min: | 4 S |
| Wotè: | 1.04 milimèt |
| Longè: | 3.3 milimèt |
| Kalite pwodwi: | MOSFET |
| Tan Monte: | 11 ns |
| Seri: | SI7 |
| Kantite pake faktori: | 3000 |
| Sou-kategori: | MOSFET yo |
| Kalite tranzistò: | 1 P-Chanèl |
| Tan Reta pou Dezaktive Tipik: | 27 ns |
| Tan Reta pou Limen Tipik: | 9 ns |
| Lajè: | 3.3 milimèt |
| Nimewo Pati Alyas: | SI7119DN-GE3 |
| Pwa inite: | 1 gram |
• San alojèn Selon IEC 61249-2-21 disponib
• MOSFET pouvwa TrenchFET®
• Anbalaj PowerPAK® ki gen rezistans tèmik ki ba, ti gwosè ak pwofil ki ba 1.07 mm
• 100% teste pa UIS ak Rg
• Klips aktif nan ekipman pouvwa DC/DC entèmedyè
