SI1029X-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAIR
♠ Deskripsyon pwodwi
| Atribi pwodwi | Valè atribi |
| Manifakti: | Vishay |
| Kategori pwodwi: | MOSFET |
| RoHS: | Detay yo |
| Teknoloji: | Si |
| Style monte: | SMD/SMT |
| Pake/Ka: | SC-89-6 |
| Polarite tranzistò: | N-chanèl, P-chanèl |
| Kantite chanèl: | 2 Chèn |
| Vds - Drenaj-Sous Pann Voltage: | 60 V |
| Id - Kouran drenaj kontinyèl: | 500 mA |
| Rds On - Rezistans drenaj-sous: | 1.4 Ohms, 4 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Voltage Limit Gate-Source: | 1 V |
| Qg - chaj pòtay: | 750 pC, 1.7 nC |
| Tanperati Minimòm Fonksyònman: | - 55 C |
| Maksimòm Tanperati Fonksyònman: | + 150 C |
| Pd - Dissipasyon pouvwa: | 280 MW |
| Mòd chanèl: | Amelyorasyon |
| Non komès: | TrenchFET |
| Anbalaj: | Bobine |
| Anbalaj: | Koupe kasèt |
| Anbalaj: | MouseReel |
| Mak: | Vishay Semiconductors |
| Konfigirasyon: | Doub |
| Transkonduktans Avant - Min: | 200 mS, 100 mS |
| Wotè: | 0.6 mm |
| Longè: | 1.66 mm |
| Kalite pwodwi: | MOSFET |
| Seri: | SI1 |
| Kantite pake faktori: | 3000 |
| Sou-kategori: | MOSFET yo |
| Kalite tranzistò: | 1 N-Chanèl, 1 P-Chanèl |
| Tan delè tipik pou fèmen: | 20 ns, 35 ns |
| Tan delè tipik pou limen: | 15 ns, 20 ns |
| Lajè: | 1.2 mm |
| Pati # Alias: | SI1029X-GE3 |
| Pwa inite: | 32 mg |
• San alojene Dapre IEC 61249-2-21 Definisyon
• MOSFET pouvwa TrenchFET®
• Trè Ti Anprint
• Chanjman High-Side
• Low On-Resistance:
N-chanèl, 1.40 Ω
P-chanèl, 4 Ω
• Papòt ki ba: ± 2 V (tip.)
• Vitès chanjman rapid: 15 ns (tip.)
• Pòtay-Sous ESD Pwoteje: 2000 V
• Konfòme ak RoHS Directive 2002/95/EC
• Ranplase Digital Tranzistò, Level-Shifter
• Sistèm Opere Batri
• Power Supply Converter Circuits
