SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET -8V Vds 8V Vgs SOT-23
♠ Deskripsyon pwodwi
| Atribi pwodwi | Valè atribi |
| Manifakti: | Vishay |
| Kategori pwodwi: | MOSFET |
| Teknoloji: | Si |
| Style monte: | SMD/SMT |
| Pake / Ka: | SOT-23-3 |
| Polarite tranzistò: | P-chanèl |
| Kantite chanèl: | 1 Chèn |
| Vds - Drenaj-Sous Pann Voltage: | 8 V |
| Id - Kouran drenaj kontinyèl: | 5.8 A |
| Rds On - Rezistans drenaj-sous: | 35 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Voltage Limit Gate-Source: | 1 V |
| Qg - chaj pòtay: | 12 nC |
| Tanperati Minimòm Fonksyònman: | - 55 C |
| Maksimòm Tanperati Fonksyònman: | + 150 C |
| Pd - Dissipasyon pouvwa: | 1.7 W |
| Mòd chanèl: | Amelyorasyon |
| Non komès: | TrenchFET |
| Anbalaj: | Bobine |
| Anbalaj: | Koupe kasèt |
| Anbalaj: | MouseReel |
| Mak: | Vishay Semiconductors |
| Konfigirasyon: | Selibatè |
| Tan Otòn: | 10 ns |
| Wotè: | 1.45 mm |
| Longè: | 2.9 mm |
| Kalite pwodwi: | MOSFET |
| Tan monte: | 20 ns |
| Seri: | SI2 |
| Kantite pake faktori: | 3000 |
| Sou-kategori: | MOSFET yo |
| Kalite tranzistò: | 1 P-chanèl |
| Tan delè tipik pou fèmen: | 40 ns |
| Tan delè tipik pou limen: | 20 ns |
| Lajè: | 1.6 mm |
| Pati # Alias: | SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-GE3 |
| Pwa inite: | 0.000282 oz |
• San alojene Dapre IEC 61249-2-21 Definisyon
• TrenchFET® Power MOSFET
• 100% Rg teste
• Konfòme ak RoHS Directive 2002/95/EC
• Chaje switch pou aparèy pòtab
• DC/DC konvètisè
