VNS3NV04DPTR-E Pilote Gate OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
♠ Deskripsyon pwodwi
| Atribi pwodwi | Valè atribi |
| Manifakti: | STMicroelectronics |
| Kategori pwodwi: | Chofè Gate |
| RoHS: | Detay yo |
| Pwodwi: | MOSFET Gate Drivers |
| Kalite: | Low-Side |
| Style monte: | SMD/SMT |
| Pake / Ka: | SOIC-8 |
| Kantite Chofè: | 2 Chofè |
| Kantite Sòti: | 2 Sòti |
| Sòti aktyèl: | 5 A |
| Voltage ekipman pou - Max: | 24 V |
| Tan monte: | 250 ns |
| Tan Otòn: | 250 ns |
| Tanperati Minimòm Fonksyònman: | - 40 C |
| Maksimòm Tanperati Fonksyònman: | + 150 C |
| Seri: | VNS3NV04DP-E |
| Kalifikasyon: | AEC-Q100 |
| Anbalaj: | Bobine |
| Anbalaj: | Koupe kasèt |
| Anbalaj: | MouseReel |
| Mak: | STMicroelectronics |
| Sansib imidite: | Wi |
| Aktyèl Pwovizyon pou Fonksyone: | 100 uA |
| Kalite pwodwi: | Chofè Gate |
| Kantite pake faktori: | 2500 |
| Sou-kategori: | PMIC la vle di Jesyon pouvwa IC |
| Teknoloji: | Si |
| Pwa inite: | 0.005291 oz |
♠ MOSFET pouvwa OMNIFET II konplètman otoprotected
Aparèy VNS3NV04DP-E a fèt ak de chips monolitik (OMNIFET II) ki loje nan yon pake SO-8 estanda.OMNIFET II fèt ak teknoloji STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 epi li fèt pou ranplase MOSFET pouvwa estanda nan aplikasyon pou jiska 50 kHz DC.
Bati-an tèmik fèmen, limit lineyè aktyèl ak kranpon survoltaj pwoteje chip la nan anviwònman piman bouk.
Fòt fidbak yo ka detekte pa siveyans vòltaj nan PIN nan opinyon
■ ECOPACK®: san plon ak RoHS konfòme
■ Klas otomobil: konfòmite ak direktiv AEC
■ Limitasyon aktyèl lineyè
■ Fèmen tèmik
■ Pwoteksyon kout sikwi
■ Entegre kranpon
■ Kouran ki ba ki soti nan pin antre
■ Feedback dyagnostik atravè pin antre
■ Pwoteksyon ESD
■ Aksè dirèk nan pòtay MOSFET pouvwa a (analòg kondwi)
■ Konpatib ak MOSFET pouvwa estanda
