VNLD5090TR-E Gate Drivers OMNIFET III konplètman pwoteje drvr lo-side
♠ Deskripsyon pwodwi
Atribi pwodwi | Valè atribi |
Manifakti: | STMicroelectronics |
Kategori pwodwi: | Chofè Gate |
RoHS: | Detay yo |
Pwodwi: | Driver ICs - Divès |
Kalite: | Low-Side |
Style monte: | SMD/SMT |
Pake/Ka: | SOIC-8 |
Kantite Chofè: | 1 Chofè |
Kantite Sòti: | 2 Sòti |
Sòti aktyèl: | 18 A |
Voltage ekipman pou - Min: | 4.5 V |
Voltage ekipman pou - Max: | 5.5 V |
Tan monte: | 10 nou |
Tan Otòn: | 2.7 nou |
Tanperati Minimòm Fonksyònman: | - 40 C |
Maksimòm Tanperati Fonksyònman: | + 150 C |
Seri: | VNLD5090-E |
Kalifikasyon: | AEC-Q100 |
Anbalaj: | Bobine |
Anbalaj: | Koupe kasèt |
Anbalaj: | MouseReel |
Mak: | STMicroelectronics |
Tan maksimòm delè pou fèmen: | 3.4 nou |
Maksimòm Reta Limen: | 8 nou |
Sansib imidite: | Wi |
Aktyèl Pwovizyon pou Fonksyone: | 30 uA |
Kalite pwodwi: | Chofè Gate |
Rds On - Rezistans drenaj-sous: | 90 mOhms |
Fèmen: | Fèmen |
Kantite pake faktori: | 2500 |
Sou-kategori: | PMIC la vle di Jesyon pouvwa IC |
Teknoloji: | Si |
Pwa inite: | 150 mg |
♠ OMNIFET III konplètman pwoteje chofè ki ba-bò pou aplikasyon pou otomobil
VNLD5090-E a se yon aparèy monolitik ki fèt ak teknoloji STMicroelectronics® VIPower®, ki gen entansyon pou kondwi chaj reziste oswa endiktif ak yon bò ki konekte ak batri a.Bati-an tèmik fèmen pwoteje chip la kont surtanperati ak kout-sikwi.Limitasyon aktyèl pwodiksyon pwoteje aparèy la nan yon kondisyon surcharge.Nan ka ta gen Surcharge dire lontan, aparèy la limite pouvwa a gaye nan yon nivo ki an sekirite jiska entèvansyon tèmik are. Are tèmik, ak rekòmanse otomatik, pèmèt aparèy la refè operasyon nòmal le pli vit ke yon kondisyon fay disparèt.Vit demagnetization nan chay endiktif reyalize nan vire-off.
·AEC-Q100 kalifye
·Kouran drenaj: 13 A
·Pwoteksyon ESD
·Survoltaj kranpon
·Fèmen tèmik
·Aktyèl ak pouvwa limitasyon
·Trè ba kouran sibstiti
·Sensibilite elektwomayetik trè ba
·An konfòmite ak 2002/95/EC direktiv Ewopeyen an