VNLD5090TR-E Gate Drivers OMNIFET III konplètman pwoteje drvr lo-side

Deskripsyon kout:

Konpayi fabrikasyon: STMicroelectronics
Kategori pwodwi: Chofè Gate
Fèy Done:VNLD5090TR-E
Deskripsyon:IC DVR LOW-SIDE OMNI III 8SOIC
RoHS estati: RoHS Konfòme


Pwodwi detay

Karakteristik

Tags pwodwi

♠ Deskripsyon pwodwi

Atribi pwodwi Valè atribi
Manifakti: STMicroelectronics
Kategori pwodwi: Chofè Gate
RoHS: Detay yo
Pwodwi: Driver ICs - Divès
Kalite: Low-Side
Style monte: SMD/SMT
Pake/Ka: SOIC-8
Kantite Chofè: 1 Chofè
Kantite Sòti: 2 Sòti
Sòti aktyèl: 18 A
Voltage ekipman pou - Min: 4.5 V
Voltage ekipman pou - Max: 5.5 V
Tan monte: 10 nou
Tan Otòn: 2.7 nou
Tanperati Minimòm Fonksyònman: - 40 C
Maksimòm Tanperati Fonksyònman: + 150 C
Seri: VNLD5090-E
Kalifikasyon: AEC-Q100
Anbalaj: Bobine
Anbalaj: Koupe kasèt
Anbalaj: MouseReel
Mak: STMicroelectronics
Tan maksimòm delè pou fèmen: 3.4 nou
Maksimòm Reta Limen: 8 nou
Sansib imidite: Wi
Aktyèl Pwovizyon pou Fonksyone: 30 uA
Kalite pwodwi: Chofè Gate
Rds On - Rezistans drenaj-sous: 90 mOhms
Fèmen: Fèmen
Kantite pake faktori: 2500
Sou-kategori: PMIC la vle di Jesyon pouvwa IC
Teknoloji: Si
Pwa inite: 150 mg

♠ OMNIFET III konplètman pwoteje chofè ki ba-bò pou aplikasyon pou otomobil

VNLD5090-E a se yon aparèy monolitik ki fèt ak teknoloji STMicroelectronics® VIPower®, ki gen entansyon pou kondwi chaj reziste oswa endiktif ak yon bò ki konekte ak batri a.Bati-an tèmik fèmen pwoteje chip la kont surtanperati ak kout-sikwi.Limitasyon aktyèl pwodiksyon pwoteje aparèy la nan yon kondisyon surcharge.Nan ka ta gen Surcharge dire lontan, aparèy la limite pouvwa a gaye nan yon nivo ki an sekirite jiska entèvansyon tèmik are. Are tèmik, ak rekòmanse otomatik, pèmèt aparèy la refè operasyon nòmal le pli vit ke yon kondisyon fay disparèt.Vit demagnetization nan chay endiktif reyalize nan vire-off.


  • Previous:
  • Pwochen:

  • ·AEC-Q100 kalifye

     ·Kouran drenaj: 13 A

     ·Pwoteksyon ESD

     ·Survoltaj kranpon

    ·Fèmen tèmik

     ·Aktyèl ak pouvwa limitasyon

     ·Trè ba kouran sibstiti

     ·Sensibilite elektwomayetik trè ba

    ·An konfòmite ak 2002/95/EC direktiv Ewopeyen an

    Pwodwi ki gen rapò