VNL5030JTR-E Chofè Gate OMNIFET III Chofè Low-Side ESD VIPower

Deskripsyon kout:

Konpayi fabrikasyon: STMicroelectronics
Kategori pwodwi: PMIC - switch Distribisyon pouvwa, chofè chaj
Fèy Done:VNL5030JTR-E
Deskripsyon: IC DVR LOW SIDE POWERSSO-12
RoHS estati: RoHS Konfòme


Pwodwi detay

Karakteristik

Tags pwodwi

♠ Deskripsyon pwodwi

Atribi pwodwi Valè atribi
Manifakti: STMicroelectronics
Kategori pwodwi: Chofè Gate
Seri: VNL5030J-E
Kalifikasyon: AEC-Q100
Anbalaj: Bobine
Anbalaj: Koupe kasèt
Anbalaj: MouseReel
Mak: STMicroelectronics
Sansib imidite: Wi
Kalite pwodwi: Chofè Gate
Kantite pake faktori: 2500
Sou-kategori: PMIC la vle di Jesyon pouvwa IC
Teknoloji: Si
Pwa inite: 0.004004 oz

♠ OMNIFET III konplètman pwoteje chofè ki ba

VNL5030J-E ak VNL5030S5-E yo se aparèy monolitik ki fèt ak teknoloji STMicroelectronics® VIPower®, ki fèt pou kondwi chay rezistan oswa endiktif ak yon bò ki konekte ak batri a.Bati-an tèmik fèmen pwoteje chip la kont surtanperati ak kout-sikwi.Limitasyon aktyèl pwodiksyon pwoteje aparèy yo nan yon kondisyon surcharge.Nan ka ta gen Surcharge dire lontan, aparèy la limite pouvwa a gaye nan yon nivo ki an sekirite jiska entèvansyon tèmik are. Are tèmik, ak rekòmanse otomatik, pèmèt aparèy la refè operasyon nòmal le pli vit ke yon kondisyon fay disparèt.Vit demagnetization nan chay endiktif reyalize nan vire-off.


  • Previous:
  • Pwochen:

  • • Oto ki kalifye
    • Kouran drenaj: 25 A
    • Pwoteksyon ESD
    • Survoltaj kranpon
    • tèmik fèmen
    • Aktyèl ak pouvwa limitasyon
    • Trè ba kouran sibstiti
    • Trè ba sansiblite elektwomayetik
    • Konfòme ak direktiv Ewopeyen 2002/95/EC
    • Louvri pwodiksyon estati drenaj

    Pwodwi ki gen rapò