Tranzistò Bipolè MMBT3904TT1G – BJT 200mA 40V NPN
♠ Deskripsyon pwodwi a
| Atribi pwodwi | Valè Atribi |
| Manifakti: | onsemi |
| Kategori pwodwi: | Tranzistò Bipolè - BJT |
| RoHS: | Detay |
| Stil montaj: | SMD/SMT |
| Pakè / Ka: | SC-75-3 |
| Polarite tranzistò: | NPN |
| Konfigirasyon: | Selibatè |
| Vòltaj Kolektè-Emetè VCEO Maksimòm: | 40 V |
| Vòltaj Kolektè-Baz VCBO: | 60 V |
| Vòltaj Emetè-Baz VEBO: | 6 V |
| Vòltaj Saturasyon Kolektè-Emetè: | 300 mV |
| Maksimòm kouran kolektè DC: | 200 mA |
| Pd - Disipasyon pouvwa: | 225 mW |
| Pwodui Pleasant Gain fT: | 300 MHz |
| Tanperati Minimòm pou Fonksyònman: | - 55 C |
| Tanperati maksimòm pou opere: | + 150 C |
| Seri: | MMBT3904T |
| Anbalaj: | Bobin |
| Anbalaj: | Koupe tep |
| Anbalaj: | Bobin Sourit |
| Mak: | onsemi |
| Kouran Kolektè Kontinyèl: | 0.2 A |
| Kolektè DC/Genyen Baz hfe Min: | 40 |
| Wotè: | 0.75 milimèt |
| Longè: | 1.6 milimèt |
| Kalite pwodwi: | BJT - Tranzistò Bipolè |
| Kantite pake faktori: | 3000 |
| Sou-kategori: | Tranzistò |
| Teknoloji: | Si |
| Lajè: | 0.8 milimèt |
| Pwa inite: | 0.000089 ons |
• Prefiks S pou aplikasyon otomobil ak lòt aplikasyon ki mande egzijans inik pou chanjman sit ak kontwòl; Kalifye AEC−Q101 epi kapab itilize PPAP
• Aparèy sa yo pa gen Pb−, pa gen Alojèn/pa gen BFR epi yo konfòm ak RoHS*
