FDN337N MOSFET SSOT-3 N-CH 30V
♠ Deskripsyon pwodwi a
| Atribisyon pwodwi a | Valè atribisyon |
| Manifaktirè: | onsemi |
| Kategori pwodwi: | MOSFET |
| RoHS: | Detay |
| Teknoloji: | Si |
| Stil montaj: | SMD/SMT |
| Pakè / Kouvèti: | SSOT-3 |
| Polarite tranzistò a: | N-Chanèl |
| Nimewo chanèl yo: | 1 Chanèl |
| Vds - Tension disruptiva entre drenaje and source: | 30 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 2.2 A |
| Rds On - Resistance entre drenaje y source: | 65 mOhms |
| Vgs - Tension entre puerta y fuente: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Tension umbral entre puerta y fuente: | 400 mV |
| Qg - Chaj pòt: | 9 nC |
| Tanperati travay minimòm: | - 55 C |
| Tanperati travay maksimòm: | + 150 C |
| Dp - Dissipación de potencia : | 500 mW |
| Kanal Modo: | Amelyorasyon |
| Anbalaj: | Bobin |
| Anbalaj: | Koupe tep |
| Anbalaj: | Bobin Sourit |
| Mak: | onsemi / Fairchild |
| Konfigirasyon: | Selibatè |
| Tan tonbe: | 10 ns |
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 13 S |
| Altitid: | 1.12 milimèt |
| Lonjitid: | 2.9 milimèt |
| Pwodwi: | MOSFET Ti Siyal |
| Kalite pwodwi: | MOSFET |
| Tan desann: | 10 ns |
| Seri: | FDN337N |
| Kantite empaque de faktori: | 3000 |
| Sou-kategori: | MOSFET yo |
| Kalite tranzistò: | 1 N-Chanèl |
| Kalite: | FET |
| Tan de retardo de apagado tipik: | 17 ns |
| Temps típico de demora de encendido: | 4 ns |
| Ancho: | 1.4 milimèt |
| Alyas pyès nimewo yo: | FDN337N_NL |
| Pwa inite a: | 0.001270 ons |
♠ Tranzistò - N-Chanèl, Nivo Lojik, Mòd Amelyorasyon Efè Chan
Tranzistò efè chan mayetik mòd amelyorasyon nivo lojik SUPERSOT-3 N-Channel yo pwodui lè l sèvi avèk teknoloji DMOS propriétaires onsemi a, ki gen gwo dansite selil. Pwosesis dansite trè wo sa a espesyalman adapte pou minimize rezistans nan eta aktif. Aparèy sa yo patikilyèman adapte pou aplikasyon ki ba vòltaj nan òdinatè pòtab, telefòn pòtab, kat PCMCIA, ak lòt sikui ki mache ak pil kote yo bezwen yon komitasyon rapid, ak yon pèt pouvwa an liy ki ba nan yon pake ki gen yon ti dimansyon pou monte sou sifas la.
• 2.2 A, 30 V
♦ RDS(aktive) = 0.065 @ VGS = 4.5 V
♦ RDS(limen) = 0.082 @ VGS = 2.5 V
• Plan Estanda Endistri SOT-23 Anbalaj Sifas Mòntaj Sèvi ak Design Propriété SUPERSOT-3 pou Kapasite Tèmik ak Elektrik Siperyè
• Konsepsyon Selil Dansite Segondè pou RDS Trè Ba (aktive)
• Rezistans eksepsyonèl sou− ak kapasite maksimòm kouran DC
• Aparèy sa a pa gen Pb epi li pa gen alojèn.
