FDN337N MOSFET SSOT-3 N-CH 30V
♠ Deskripsyon pwodwi
| Atribute pwodwi | Valor de atributo |
| Fabricant: | onsemi |
| Kategori pwodwi: | MOSFET |
| RoHS: | Detay yo |
| Teknoloji: | Si |
| Estil montaj: | SMD/SMT |
| Paquete / Cubierta: | SSOT-3 |
| Polarité tranzistò: | N-chanèl |
| Nimewo chanèl: | 1 Chèn |
| Vds - Tension disruptiva entre drenaje and source: | 30 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 2.2 A |
| Rds On - Resistance entre drenaje y source: | 65 mOhms |
| Vgs - Tension entre puerta y fuente: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Tension umbral entre puerta y fuente: | 400 mV |
| Qg - Carga de puerta: | 9 nC |
| Tanperati travay minimòm: | - 55 C |
| Tanperati travay maksimòm: | + 150 C |
| Dp - Dissipación de potencia : | 500 MW |
| Modo kanal: | Amelyorasyon |
| Anpake: | Bobine |
| Anpake: | Koupe kasèt |
| Anpake: | MouseReel |
| Mak: | onsemi / Fairchild |
| Konfigirasyon: | Selibatè |
| Tan de tonbe: | 10 ns |
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 13 S |
| Altura: | 1.12 mm |
| Lonjitid: | 2.9 mm |
| Pwodwi: | MOSFET ti siyal |
| Kalite pwodwi: | MOSFET |
| Tan de subida: | 10 ns |
| Seri: | FDN337N |
| Kantite empaque de faktori: | 3000 |
| Sou-kategori: | MOSFET yo |
| Kalite tranzistò: | 1 N-chanèl |
| Tip: | FET |
| Tan de retardo de apagado tipik: | 17 ns |
| Temps típico de demora de encendido: | 4 ns |
| Ancho: | 1.4 mm |
| Alias de las pièces n.º: | FDN337N_NL |
| Pwa aparèy la: | 0.001270 oz |
♠ Tranzistò - N-chanèl, Nivo lojik, Amelyorasyon Mode Field Effect
SUPERSOT−3 N−Channel lojik nivo amelyorasyon mòd pouvwa jaden efè tranzistò yo pwodui lè l sèvi avèk pwopriyetè onsemi a, segondè dansite selil, teknoloji DMOS.Pwosesis trè wo dansite sa a espesyalman pwepare pou minimize rezistans sou eta a.Aparèy sa yo patikilyèman adapte pou aplikasyon pou ba vòltaj nan òdinatè kaye, telefòn pòtab, kat PCMCIA, ak lòt sikui ki mache ak batri kote yo bezwen chanjman rapid, ak pèt pouvwa ki ba nan liy lan nan yon pakè mòn sifas ki piti anpil.
• 2.2 A, 30 V
♦ RDS(on) = 0.065 @ VGS = 4.5 V
♦ RDS(on) = 0.082 @ VGS = 2.5 V
• Deskripsyon estanda endistri SOT−23 Pake mòn sifas ki itilize konsepsyon pwopriyete SUPERSOT−3 pou kapasite siperyè tèmik ak elektrik.
• Gwo dansite selil konsepsyon pou RDS ekstrèmman ba (sou)
• Eksepsyonèl sou-Rezistans ak maksimòm DC aktyèl kapasite
• Aparèy sa a pa gen Pb-Free ak alojene
