FDD86102LZ MOSFET 100V N-chanèl PowerTrench MOSFET

Deskripsyon kout:

Konpayi fabrikasyon: ON Semiconductor
Kategori pwodwi: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fèy Done:FDD86102LZ
Deskripsyon: MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
RoHS estati: RoHS Konfòme


Pwodwi detay

Tags pwodwi

♠ Deskripsyon pwodwi

Atribute pwodwi Valor de atributo
Fabricant: onsemi
Kategori pwodwi: MOSFET
RoHS: Detay yo
Teknoloji: Si
Estil montaj: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: DPAK-3
Polarité tranzistò: N-chanèl
Nimewo chanèl: 1 Chèn
Vds - Tension disruptiva entre drenaje and source: 100 V
Id - Corriente de drenaje continua: 42 A
Rds On - Resistance entre drenaje y source: 31 mOhms
Vgs - Tension entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension umbral entre puerta y fuente: 1 V
Qg - Carga de puerta: 26 nC
Tanperati travay minimòm: - 55 C
Tanperati travay maksimòm: + 150 C
Dp - Dissipación de potencia : 54 W
Modo kanal: Amelyorasyon
Non komèsyal: PowerTrench
Anpake: Bobine
Anpake: Koupe kasèt
Anpake: MouseReel
Mak: onsemi / Fairchild
Konfigirasyon: Selibatè
Transconductancia hacia delante - Mín.: 31 S
Altura: 2.39 mm
Lonjitid: 6.73 mm
Kalite pwodwi: MOSFET
Seri: FDD86102LZ
Kantite empaque de faktori: 2500
Sou-kategori: MOSFET yo
Kalite tranzistò: 1 N-chanèl
Ancho: 6.22 mm
Pwa aparèy la: 0.011640 oz

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